“刻蚀—淀积”组合机

                                                                                          产品主要性能指标

                                                                                                       

                                                                                          型号

                                                                                          CVE-2B

                                                                                          真空系统

                                                                                          分子泵机组

                                                                                          淀积室规格

                                                                                          ?400×150mm

                                                                                          淀积室样片台尺寸

                                                                                          ?290mm(热均匀区?220mm)

                                                                                          淀积材料

                                                                                          SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石?#21462;?/span>

                                                                                          淀积速率

                                                                                          200 - 300 ?/min (与淀积材料和工艺有关)

                                                                                          淀积样片台加热温度

                                                                                          300℃

                                                                                          淀积不均匀性

                                                                                          ≤ ±5%

                                                                                          刻蚀室规格

                                                                                          ?300×100mm

                                                                                          刻蚀电极尺寸

                                                                                          ?200mm

                                                                                          刻蚀材料

                                                                                          Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs?#21462;?/span>

                                                                                          刻蚀速率

                                                                                          0.1 – 1 μ/min (与刻蚀材料和工艺有关)

                                                                                          刻蚀不均匀性

                                                                                          ≤±5%


                                                                                          “刻蚀–溅射”组合机(JR-2B)、“刻蚀–淀积”组合机(CVE-2B)、“刻蚀–淀积”组合机(ICV-500)和“溅射–淀积”组合机(JCV-2B)都是根据用户要求需设计的,就其功能和性能指标而言与溅射台、淀积台、刻蚀机都是相同的,其主要特点是省去了一套电源系统和真空获得系统,从而以相对优惠的价格满足不同用户的要求.

                                                                                          ?#23601;?#31449;由阿里云提供云计算及安全服务
                                                                                          彩票七乐彩走势图机选

                                                                                                                                                                                                                                                                          火箭vs雄鹿 卡迪夫城队员 黑龙江p62开奖走势图 捕鱼王下载 比特币收益怎么赚钱 电竞选手 完美世界手游咋样倒金币 马竞技对塞维利亚 奥斯卡切尔西 富裕人生闯关 上海11选5走势图牛 海南4十1彩票走势图2017 pc蛋蛋开奖 福州麻将技巧十句口诀 捕鱼真人游戏大厅 北京pk10开奖视频下载