(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机ICP-8000

                                                                                              本设备采用PLC控制,触摸显示屏操作。其数字化?#38382;?#30028;面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。

                                                                                          设备通过对真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量及工艺过程的自动控制,以及所具有的安全互锁、智能监控、在线状态?#19988;洹?#26029;点保护等功能。从而获得?#32454;?#30340;刻蚀速率,并能精确地控制图形的剖面。使设备的安全性、重复性、稳定性、可靠性得到有效保证。 

                                                                                          本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机械等领域的器件研发和制造。

                                                                                           

                                                                                          产品主要性能指标

                                                                                          型号

                                                                                          ICP-2B

                                                                                          ICP-500

                                                                                          ICP-5100

                                                                                          真空系统

                                                                                          分子泵机组

                                                                                          进样室:机?#24403;?#31995;统;刻蚀室:分子泵机组

                                                                                          刻蚀室数量

                                                                                          单室

                                                                                          刻蚀室规格

                                                                                          ?300×280mm

                                                                                          电极尺寸

                                                                                          ?200mm

                                                                                          刻蚀材料

                                                                                          Poly-Si、SiSiO2Si3N4WMoGaNGaAs

                                                                                          刻蚀速率

                                                                                          0.1 – 1 μ/min (与刻蚀材料和工艺有关)

                                                                                          刻蚀不均匀性

                                                                                          ≤±5%

                                                                                          深硅刻蚀控制单元

                                                                                          可选

                                                                                           

                                                                                          自动化程度

                                                                                           

                                                                                          真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动控制。

                                                                                          真空系统、机械手送/取样片、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动控制。

                                                                                          人机界面

                                                                                           

                                                                                          Windows环境、触摸屏操作

                                                                                          操作方式

                                                                                          手动

                                                                                          全自动方式、非全自动方式

                                                                                          配套件选配

                                                                                           

                                                                                          可选择进口件或国产件

                                                                                          本设备具有三种功能:等离子体刻蚀(PE)、反应离子刻蚀(RIE)、感应耦合等离子体刻蚀(ICP)。其刻蚀原理不尽相同,既有纯化学的,也有物理与化学相结合的模式。它既可以进行细线条(纳米)加工,又可以进行体加工(深刻蚀)。本设备具有选择比好,刻蚀速度快、重复性好等特点,它较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用范围更广。可刻蚀的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
                                                                                          本网站由阿里云提供云计算及安全服务
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